Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

В данном разделе представлены Рефераты российских патентных документов.

Здесь Вы можете провести патентный анализ, а также приобрести полный комплект документов по патенту. Стоимость 1 патента — 150 руб. (НДС не облагается). Поиск информации осуществляется посредством определения соответствующих критериев поиска в форме "Поиск патентов"

Патенты, представленные в данном разделе, классифицированы с использованием классификатора МПК (Международный патентный классификатор). Подробную информацию о классификаторе смотрите здесь.

Вы можете двигаться по "дереву" классификатора, а также осуществлять поиск по классификатору, вводя условие поиска в форму "Поиск в МПК".




Капустинская Наталья - менеджер, тел. (3812) 31-17-14 E-mail: adm311714@yandex.ru


 МПК » H » H01 » H01L » H01L027/00
Поиск в МПК:   
Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее (конструктивные элементы и особенности таких приборов 23/00, 29/00-51/00; блоки, состоящие из нескольких отдельных приборов на твердом теле, 25/00)[2,8]
H01L027/092: ......комплементарные полевые МДП-транзисторы [5]
Всего позиций: 9        [1-9] 
Публикация Название
94036294БИ - КМОП ЭЛЕМЕНТ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
2100874ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА С ДВУМЯ ТИПАМИ МОП - ТРАНЗИСТОРОВ
2419916КМОП УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ СУРЬМЫ
2170475КМОП - СТРУКТУРА
2054752КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ КЛЮЧ
2192691КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР
2466477ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР С ХАРАКТЕРИСТИКОЙ ЛЯМБДА - ДИОДА
2214649СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЭЛЕМЕНТА С ЧАСТИЧНО ПРОХОДЯЩЕЙ В ПОДЛОЖКЕ РАЗВОДКОЙ, А ТАКЖЕ ИЗГОТОВЛЕННЫЙ ЭТИМ СПОСОБОМ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЭЛЕМЕНТ
2393587СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛЕВОГО КМОП ТРАНЗИСТОРА, СОЗДАННОГО С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ДИЭЛЕКТРИКОВ НА ОСНОВЕ ОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ С ВЫСОКИМ КОЭФФИЦИЕНТОМ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ И МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ЗАТВОРОВ, И СТРУКТУРА ПОЛЕВОГО КМОП ТРАНЗИСТОРА
Всего позиций: 9        [1-9] 
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"