Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

В данном разделе представлены Рефераты российских патентных документов.

Здесь Вы можете провести патентный анализ, а также приобрести полный комплект документов по патенту. Стоимость 1 патента — 150 руб. (НДС не облагается). Поиск информации осуществляется посредством определения соответствующих критериев поиска в форме "Поиск патентов"

Патенты, представленные в данном разделе, классифицированы с использованием классификатора МПК (Международный патентный классификатор). Подробную информацию о классификаторе смотрите здесь.

Вы можете двигаться по "дереву" классификатора, а также осуществлять поиск по классификатору, вводя условие поиска в форму "Поиск в МПК".




Капустинская Наталья - менеджер, тел. (3812) 31-17-14 E-mail: adm311714@yandex.ru


 МПК » H » H01 » H01L » H01L027/00
Поиск в МПК:   
Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее (конструктивные элементы и особенности таких приборов 23/00, 29/00-51/00; блоки, состоящие из нескольких отдельных приборов на твердом теле, 25/00)[2,8]

Всего позиций: 28        [1-28] 
Код и наименование раздела справочника МПК Патенты
H01L027/01 .содержащие только пассивные тонкопленочные или толстопленочные элементы, сформированные на общей изолирующей подложке [3][6] 
H01L027/02 .содержащие полупроводниковые компоненты, специально предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления или переключения, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер; включая элементы на пассивных интегральных схемах по меньшей мере с одним потенциальным или поверхностным барьером [2][22] 
H01L027/04 ..с подложкой из полупроводника [2][26] 
H01L027/06 ...содержащие несколько отдельных компонентов, конфигурация которых не повторяется [2][5] 
H01L027/082 ....только биполярные компоненты [5][1] 
H01L027/088 .....полевые транзисторы с изолированным затвором [5][2] 
H01L027/092 ......комплементарные полевые МДП-транзисторы [5][6] 
H01L027/095 .....полевые транзисторы с затвором Шотки [5][1] 
H01L027/10 ...содержащие несколько отдельных компонентов с повторяющейся конфигурацией [2][6] 
H01L027/105 ....компоненты с полевым эффектом [5][4] 
H01L027/108 .....структуры динамических запоминающих устройств с произвольной выборкой [5][2] 
H01L027/11 .....структуры статических запоминающих устройств с произвольной выборкой [5][3] 
H01L027/115 ......электрически программируемые постоянные запоминающие устройства [5][8] 
H01L027/118 ....интегральные схемы на основе базового кристалла [5][5] 
H01L027/12 ..с подложкой из неполупроводника, например диэлектрика [2][6] 
H01L027/13 ...комбинированные с тонкопленочными и толстопленочными пассивными компонентами [3][3] 
H01L027/14 .содержащие полупроводниковые компоненты, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, коротковолновому электромагнитному или корпускулярному излучению, и специально предназначенные как для преобразования энергии этих излучений в электрическую энергию, так и для управления электрической энергией с помощью таких излучений (компоненты, чувствительные к излучению, конструктивно связанные только с...[38] 
H01L027/142 ..устройства преобразования энергии [5][3] 
H01L027/144 ..устройства, управляемые при помощи излучения [5][2] 
H01L027/146 ...структуры формирователей сигналов изображения [5][5] 
H01L027/148 ....формирователи сигналов изображения на приборах с зарядовой связью [5][10] 
H01L027/15 .с полупроводниковыми компонентами, специально предназначенными для излучения световых колебаний и имеющими по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер [2][1] 
H01L027/16 .содержащие термоэлектрические компоненты со спаем из различных материалов или без него; содержащие термомагнитные компоненты (с использованием эффекта Пельтье только для охлаждения полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле 23/38)[2][1] 
H01L027/18 .содержащие компоненты, обладающие сверхпроводимостью [2][1] 
Всего позиций: 28        [1-28] 
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"