Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ

Номер публикации патента: 2474921

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2011136113/07 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L027/00   H05K001/00    
Аналоги изобретения: RU 2258330 С2, 10.08.2005. RU 2067362 С1, 27.09.1996. RU 2076473 С1, 27.03.1997. RU 2206187 С1, 10.06.2003. RU 2287875 С2, 20.11.2006. US 2010/0258919 A1, 14.10.2010. US 6359337 B1, 19.03.2002. 

Имя заявителя: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU) 
Изобретатели: Дудинов Константин Владимирович (RU)
Темнов Александр Михайлович (RU)
Духновский Михаил Петрович (RU)
Емельянов Артем Михайлович (RU) 
Патентообладатели: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU) 

Реферат


Изобретение относится к электронной технике, а именно интегральным схемам СВЧ, и может быть широко использовано в электронной технике СВЧ, в частности в радиолокационных станциях с фазированными антенными решетками (ФАР). Технический результат - улучшение электрических характеристик, повышение надежности и уменьшение массогабаритных характеристик. Достигается тем, что в интегральной схеме СВЧ, содержащей диэлектрическую подложку, на лицевой стороне которой выполнены только пассивные элементы, либо пассивные элементы, линии передачи, выводы, активные элементы, при этом элементы соединены электрически, а интегральная схема заземлена, диэлектрическая подложка выполнена из пластины алмаза толщиной, равной (100-200)×10 -6 м, которая имеет металлизационное покрытие, при этом металлизационное покрытие выполнено в виде сплошного слоя на обратной и торцевых сторонах, и локального слоя на лицевой стороне упомянутой диэлектрической подложки, при этом упомянутые слои выполнены одинаковой толщины, равной каждый 3-7 глубин скин-слоя, а заземление интегральной схемы выполнено посредством упомянутого металлизационного покрытия. 7 з.п. ф-лы, 6 ил., 1 табл.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"