|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ |  |
Номер публикации патента: 2079986 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H05K001/00 | | Аналоги изобретения: | Эйрис Р. Проектирование СБИС. Метод кремниевой компиляции/ Пер. с англ.-М.: Гл.ред.физ.-мат.лит., 1988, с.40. рис.1.14. 2.Bern Hoeffliuger, Sie I. Liu, and Braui slan Vajdic, A Three - Dimentional CMOS Design Metodology, IEEE Trausactions of Electron Devices, vol. ED-31, N 2, 1984, fig.2. |
| Имя заявителя: | Таганрогский государственный радиотехнический университет | | Изобретатели: | Коноплев Б.Г.
Рындин Е.А. | | Патентообладатели: | Таганрогский государственный радиотехнический университет |
Реферат | |
Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно - к интегральным логическим элементам БИС. Сущность изобретения: интегральный логический элемент, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с расположенными в ней сток-истоковыми областями транзисторов второго типа проводимости, область рекристаллизованного кремния второго типа проводимости, расположенную над слоем разделительного диэлектрика и содержащую сток-истоковые области транзисторов первого типа проводимости, металлическую шину питания, соединенную с истоковыми областями транзисторов первого типа проводимости, металлическую шину нулевого потенциала, расположенную над истоковой областью транзистора второго типа проводимости и соединенную с ней, а также с полупроводниковой подложкой первого типа проводимости, выходную металлическую шину, расположенную над областями элемента и соединенную со стоковыми областями транзисторов первого типа проводимости и стоковой областью транзистора второго типа проводимости, введены две входные зоны, содержащие два транзистора второго типа проводимости, два транзистора первого типа проводимости, расположенные в области рекристаллизованного кремния второго типа проводимости над транзисторами второго типа проводимости, две входные поликремнивые шины, являющиеся затворами транзисторов первого и второго типов проводимости и выполненные в виде буквы С, выходная зона, содержащая выходную поликремниевую шину, которая соединена с выходной металлической шиной, зона транзита, содержащая транзитную поликремниевую шину, причем, расположенные между шинами питания и нулевого потенциала входные, выходная и транзитная зоны взаимозаменяемы вдоль логического элемента. 1 ил., 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента