Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ РЕЗЕРВИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ОБЪЕКТОВ, РАБОТАЮЩИХ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Номер публикации патента: 2413281

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010104924/07 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G06F011/20   H05K010/00    
Аналоги изобретения: RU 2316810 С2, 10.02.2008. RU 48418 U1, 10.10.2005. RU 2017359 C1, 30.07.1994. SU 1228772 A1, 20.06.2000. SU 392500 A1, 01.01.1973. KR 20090036098 A, 13.04.2009. KR 20000047726 A, 25.07.2000. DE 19754903 C1, 28.01.1999. JP 59114864 A, 03.07.1984. 

Имя заявителя: Федеральное государственное учреждение Российский научный центр "Курчатовский институт" (RU) 
Изобретатели: Александров Петр Анатольевич (RU)
Жук Виктор Ильич (RU)
Литвинов Валерий Лазаревич (RU) 
Патентообладатели: Федеральное государственное учреждение Российский научный центр "Курчатовский институт" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области электротехники, в частности к способам резервирования полупроводниковых объектов, работающих под действием ионизирующего излучения. В предлагаемом способе активный объект работает при нормальной для него температуре, а идентичный ему резервный объект выключен. При отказе активного объекта его замещают резервным объектом, который нагревают до заданной температуры отжига радиационных дефектов его полупроводниковых приборов, но которая не приводит к необратимой неисправности этого объекта; формируют дополнительно сигнал замещения при достижении допустимого уровня деградации элементов активного объекта, затем по этому сигналу замещения охлаждают резервный объект до температуры, нормальной для работы активного объекта, и замещают активный объект охлажденным резервным объектом. Замещенный активный объект используют как резервный объект. Повышение надежности систем резервирования полупроводниковых объектов за счет уменьшения деградации резервного объекта является техническим результатом изобретения. 4 з.п. ф-лы.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"