RU 2316810 С2, 10.02.2008. RU 48418 U1, 10.10.2005. RU 2017359 C1, 30.07.1994. SU 1228772 A1, 20.06.2000. SU 392500 A1, 01.01.1973. KR 20090036098 A, 13.04.2009. KR 20000047726 A, 25.07.2000. DE 19754903 C1, 28.01.1999. JP 59114864 A, 03.07.1984.
Имя заявителя:
Федеральное государственное учреждение Российский научный центр "Курчатовский институт" (RU)
Изобретатели:
Александров Петр Анатольевич (RU) Жук Виктор Ильич (RU) Литвинов Валерий Лазаревич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное учреждение Российский научный центр "Курчатовский институт" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области электротехники, в частности к способам резервирования полупроводниковых объектов, работающих под действием ионизирующего излучения. В предлагаемом способе активный объект работает при нормальной для него температуре, а идентичный ему резервный объект выключен. При отказе активного объекта его замещают резервным объектом, который нагревают до заданной температуры отжига радиационных дефектов его полупроводниковых приборов, но которая не приводит к необратимой неисправности этого объекта; формируют дополнительно сигнал замещения при достижении допустимого уровня деградации элементов активного объекта, затем по этому сигналу замещения охлаждают резервный объект до температуры, нормальной для работы активного объекта, и замещают активный объект охлажденным резервным объектом. Замещенный активный объект используют как резервный объект. Повышение надежности систем резервирования полупроводниковых объектов за счет уменьшения деградации резервного объекта является техническим результатом изобретения. 4 з.п. ф-лы.