US 2002/030086 A, 14.03.2002. RU 2315342 C1, 20.01.2008. RU 2194337 C1, 10.12.2002. US 6311391 B1, 06.11.2001. JP 3175648 A, 30.07.1991. JP 10223692 A, 21.08.1998. JP 2002319650 A, 31.10.2002.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU)
Изобретатели:
Ефимов Валерий Михайлович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано при разработке оборудования для изготовления гибридных полупроводниковых микросхем методом перевернутого кристалла (flip-chip). Сущность изобретения: наклоняюще-качающее приспособление для гибридизации микросхем методом перевернутого кристалла состоит из основания, имеющего прямоугольный выступ с первым отверстием для вакуумной присоски и плоской поверхностью, на которую помещают микросхему с массивом микроконтактов. На плоской поверхности прямоугольного выступа выполнен слой упругого несжимаемого материала, имеющий второе отверстие для вакуумной присоски, которое частично или полностью соединено с первым отверстием для вакуумной присоски. Техническим результатом изобретения является повышение точности установки параллельности полупроводниковых микросхем, соединяемых методом перевернутого кристалла, не зависящее от оптических характеристик поверхностей соединяемых полупроводниковых микросхем, а также их качества, в частности кривизны, при этом не требуется модернизация приспособления для гибридизации микросхем измененного размера. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента