|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2168798 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L025/00 H05K003/36 H05K003/46 | | Аналоги изобретения: | JP 2-58793 B4, 28.08.1981. RU 2133081 C1, 10.07.1999. SU 227421 A, 29.01.1969. SU 270029 A, 13.08.1970. SU 1019682 A, 23.05.1983. JP 2-28279 B4, 05.08.1985. US 4585528 A, 29.04.1986. US 3683105 A, 08.08.1972. DE 4326104 А1, 09.02.1995. |
| Имя заявителя: | ШЕН Минг-Тунг (TW) | | Изобретатели: | ШЕН Минг-Тунг (TW) | | Патентообладатели: | ШЕН Минг-Тунг (TW) |
Реферат | |
Полупроводниковое устройство (4) включает в себя полупроводниковую микросхему (40), диэлектрический ленточный слой (5) и печатную плату (6). Полупроводниковая микросхема (40) имеет монтажную поверхность (42) под контактные площадки с множеством расположенных на ней контактных площадок (41). Диэлектрический ленточный слой (5) имеет противоположные первую и вторую адгезионные поверхности (50, 51).
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента