На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2117418

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  94030195		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: в микроэлектронике. Сущность изобретения: интегральная схема содержит полупроводниковый кристалл с выводами, имеющимися на его лицевой поверхности по периметру, диэлектрическую плату, на которой смонтирован полупроводниковый кристалл, соединенный своими выводами с диэлектрической платой, причем полупроводниковый кристалл присоединен к диэлектрической плате своей лицевой поверхностью. В полупроводниковом кристалле и диэлектрической плате выполнены выемки, расположенные соответственно под и над выводами полупроводникового кристалла, на который нанесено герметизирующее диэлектрическое покрытие. Способ изготовления интегральной схемы заключается в уменьшении толщины полупроводниковой подложки с обратной стороны до толщины 5-20 мкм, проводят разделение подложки на кристаллы, причем при разделении подложки на кристаллы удаляют материал полупроводниковый им диэлектрической подложек над и под выводами кристалла с образованием выемок. 2 с.и 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Вернуться к списку