|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ НА ЛОКАЛЬНЫХ УЧАСТКАХ ПОДЛОЖКИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2076478 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H05K003/10 | | Аналоги изобретения: | 1. Авторское свидетельство N 1554147, кл. H 05 K 3/28, 1990. 2. Парфенов О.Д. Технология микросхем.- М.: Высшая школа, 1986, с.97 - 99. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество открытого типа "Красногорский завод им.С.А.Зверева" | | Изобретатели: | Данилов А.В.
Данилова Н.Ф. | | Патентообладатели: | Акционерное общество открытого типа "Красногорский завод им.С.А.Зверева" |
Реферат | |
Изобретение относится к производству микроэлектронной аппаратуры, в частности, к изготовлению гибридных интегральных микросхем на различных подложках. Сущность изобретения: межслойные изоляционные слои на подложке получают нанесением полимерного материала при центрифугировании, причем их формируют с помощью маски, имеющей окна. Маска закреплена на поверхности подложки магнитным полем. Центрифугирование проводят со скоростью 1500 об/мин. Нанесение полимерного материала осуществляют при нагревании подложки до температуры полимеризации с последующим охлаждением. Причем маску используют из материала с температурным коэффициентом линейного расширения (ТКЛР), большим ТКЛР материала подложки в 2-6 раз. Заявляемый способ и устройство позволяют значительно повысить технологичность и снизить трудоемкость процесса получения диэлектрических слоев на локальных участках подложки. 2 с. п. ф-лы, 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента