RU 2227345 С2, 10.10.2003. RU 2302056 C1, 27.06.2007. RU 2025822 C1, 30.12.1994. US 4130855 A, 19.12.1978. US 5122930 A, 16.06.1992.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU)
Изобретатели:
Иовдальский Виктор Анатольевич (RU) Лапин Владимир Григорьевич (RU) Земляков Валерий Евгеньевич (RU) Виноградов Владимир Григорьевич (RU) Лисицин Александр Андреевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU)
Реферат
Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Сущность изобретения: в гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона, содержащей диэлектрическую подложку, на лицевой стороне которой расположен топологический рисунок металлизации, а на обратной стороне - экранная заземляющая металлизация, по меньшей мере, одну металлизированную посадочную площадку, соединенную с экранной заземляющей металлизацией, по меньшей мере, один транзистор, по меньшей мере, два конденсатора с разных сторон транзистора, при этом, по меньшей мере, один из выводов транзистора электрически соединен с верхними обкладками конденсаторов, по меньшей мере, два другие его вывода электрически соединены с топологическим рисунком металлизации, нижние обкладки конденсаторов электрически соединены с металлизированной посадочной площадкой и через нее с экранной заземляющей металлизацией. Транзистор с выводами, два конденсатора и электрические соединения одного из выводов транзистора с верхними обкладками конденсаторов выполнены в виде, по меньшей мере, одного кристалла монолитной интегральной схемы, расположенного на одной металлизированной посадочной площадке, при этом оба конденсатора выполнены пленочными, верхние обкладки конденсаторов, выводы транзистора и электрические соединения одного из выводов транзистора с верхними обкладками конденсаторов выполнены в одном слое металлизации кристалла монолитной интегральной схемы, при этом в кристалле монолитной интегральной схемы непосредственно под нижними обкладками конденсаторов выполнены сквозные металлизированные отверстия для электрического соединения нижних обкладок конденсаторов с металлизированной посадочной площадкой. Технический результат - повышение электрических и массогабаритных характеристик, повышение надежности, снижение трудоемкости изготовления. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента