|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ И ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ НА ПОЛИМЕРНОЙ ПОДЛОЖКЕ |  |
Номер публикации патента: 2138140 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H05K003/00 H05K003/46 | | Аналоги изобретения: | Научно-технический отчет НИР "Разработка технологии гибких многослойных ГБИС и шлейфов с использованием полиимидной пленки". Гос.регистрационный N 86045, 1987. DE 2524581 A1, 23.12.76. GB 1497312 A, 05.01.78. RU 2067363 C1, 27.09.96. SU 1202493 A1, 23.07.91. US 3945113 A, 23.03.76. US 3947956 A, 06.04.76. DE 3826566 A1, 08.02.90. WO 95/21517 A1, 10.08.95. |
| Имя заявителя: | Самарцев Николай Борисович | | Изобретатели: | Самарцев Н.Б.
Хамаев В.А. | | Патентообладатели: | Самарцев Николай Борисович
Хамаев Валентин Александрович |
Реферат | |
Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано при изготовлении гибридных интегральных схем (ГИС) и печатных плат (ПП). Технический результат изобретения - повышение надежности ГИС и ПП путем устранения отслоения металлизации из-за разрыва полимерной пленки при формировании электропереходов, достигается тем, что перед формированием электроперехода стержень, концу которого придана сферическая форма с радиусом, большим или равным толщине подложки, приводят во вращение с окружной скоростью в пределах от 1 до 1000 об/мин, а вертикальную подачу стержня осуществляют с усилием, не превышающим предела прочности материала подложки на разрыв. Подложку при этом помещают на основание с твердостью, равной или на несколько единиц ниже твердости материала сферического конца стержня. При изготовлении ГИС и ПП данным способом практически полностью исключается отслоение металлизации (так как не происходит разрыва или деформации подложки), что обеспечивает надежность электрического перехода. 2 з.п.ф-лы.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента