Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

Номер публикации патента: 2079212

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 95117899 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H05K003/46    
Аналоги изобретения: Гребенкина В.Г. и др. Толстопленочная микроэлектроника.- Киев: Наукова думка, 1983, с. 81 - 86. 2. Коледов Л.А. Технология и конструкции микросхем микропроцессоров и микросборок.- М.: Радио и связь, 1989, с. 174 - 176. 

Имя заявителя: Марков Валентин Викторович 
Изобретатели: Марков Валентин Викторович
Плаксин Геннадий Арсеньевич
Салтыков Вячеслав Вениаминович
Тикменов Василий Николаевич 
Патентообладатели: Марков Валентин Викторович
Плаксин Геннадий Арсеньевич
Салтыков Вячеслав Вениаминович
Тикменов Василий Николае 

Реферат


Применение: изобретение относится к микроэлектронике, в частности к изготовлению гибридных интегральных схем (ГИС). Сущность изобретения: одновременно на поверхности многоуровневой ГИС могут монтироваться электрорадиоэлементы как пайкой, так и сваркой. На поверхность диэлектрической подложки формируют проводники и контактные площадки (КП) первого уровня, облуживают (покрывают припоем) КП. Затем на рисунок схемы первого уровня наносят слой фольгированного полиимида, в котором со стороны полиимида выполняют отверстия в местах расположения КП, а из фольги выполняют проводники и КП второго уровня. КП второго уровня также облуживают и проводят соединение КП первого и второго уровней пайкой. После чего на временном основании формируют рисунок КП второго уровня, выполненный из алюминия с подслоем никеля и меди, и соединяют КП, выполненные на временном основании, с КП второго уровня, после чего временное основание удаляют. Образование межслойных соединений проводят пайкой и дополнительно одновременно с соединением КП первого и второго уровней на поверхность КП второго уровня наносят слой фольгированного алюминием полиимида с подслоями хрома и меди, после чего полиимид удаляют. 2 з. п. ф-лы, 14 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"