|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ СИСТЕМА ТЕРМОЯДЕРНОЙ УСТАНОВКИ ТИПА ТОКАМАК |  |
Номер публикации патента: 2143753 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G21B001/00 H05H001/02 | | Аналоги изобретения: | Darkes A.C. et.al.Mast: A Mega Amp. Spherical Tokamak - Fusion Technology 1994. Proceeings of the 18 th Simposium on Fusion Technology. - Karlsruhe: Germany, 22 - 26 August 1994, North-Hollaand 1995, vol. 1, p. 799-802. SU 689444 A1, 30.12.82. FR 2681228 A1, 28.05.93. US 5038052 A, 06.08.91. |
| Имя заявителя: | Государственное предприятие "Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им.Д.В.Ефремова" | | Изобретатели: | Коротков В.А.
Сойкин В.Ф. | | Патентообладатели: | Государственное предприятие "Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им.Д.В.Ефремова" |
Реферат | |
Изобретение относится к экспериментальным установкам управляемого термоядерного синтеза с магнитным удержанием плазмы. Решается задача устранения отклонений допустимой минимальной величины магнитного поля в зоне образования плазмы, когда центральный соленоид после включения установки получит вертикальную деформацию от действия электромагнитных (пондеромоторных сил). Электромагнитная система содержит центральный соленоид, установленный вертикально между опорными элементами, и обмотки полоидального и тороидального магнитных полей, расположенные на тороидальной разрядной камере. Опорная поверхность одного из опорных элементов центрального соленоида смещена в сторону горизонтальной оси установки на половину величины вертикальной деформации соленоида, возникающей под действием пондеромоторных сил. Один торец соленоида непосредственно примыкает к этому опорному элементу, а между другим опорным элементом и вторым торцом соленоида установлен упругий элемент. 1 з.п.ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента