|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СПЛОШНОЙ ПЛЕНКИ С АЛМАЗОПОДОБНОЙ СТРУКТУРОЙ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2105379 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/205 C23C016/26 H05H001/30 | | Аналоги изобретения: | 1. V.Dusek et al. Diamond and Relat Mater, 1993, N 2, p. 397 - 407. 2. US, патент, 5039548, кл. C 23 C 16/26, 1991. |
| Имя заявителя: | Закрытое акционерное общество "Техно-ТМ" | | Изобретатели: | Капустин В.И.
Лысов Г.В.
Бобров А.А.
Свитов В.И.
Ткачев В.И.
Сигов А.С. | | Патентообладатели: | Закрытое акционерное общество "Техно-ТМ" |
Реферат | |
Способ получая сплошной тонкой пленки с алмазоподобной структурой включает нанесение пленки на подложку из плазмы СВЧ-разряда в режиме ЭЦР в атмосфере рабочего газа или смеси газов. На подложку подается отрицательное электрическое смещение. Подложка располагается вне зоны ЭЦР. Давление 0,01-10 Па, плотность потока мощности в зоне ЭЦР 0,2-5 Вт/см. В качестве рабочего газа или одного из компонентов смеси используют углеродсодержащий газ или вещества, содержащие нитридообразующие элементы, или вещества, содержащие карбидообразующие элементы. Устройство содержит источник СВЧ-энергии 1, связанный через цилиндрический волновод 4 и диэлектрическое окно 3 с технологической камерой 2. В камере размещен держатель 7 подложки, электроизолированный от камеры. Соосно с волноводом размещены два соленоида 9,10. Первый соленоид 9 размещен в плоскости диэлектрического окна 3, второй соленоид 10 - между первым соленоидом 9 и держателем 7 подложки. Между вторым соленоидом 10 и держателем 7 подложки расположена диафрагма 11 из ферромагнитного материала. Расстояние между диафрагмой 11 и вторым соленоидом 10 не превышает внутреннего диаметра второго соленоида 10. Диаметр диафрагмы удовлетворяет условию: Dн волн≅d1д≅(D2 вн+D2 нар)/2 , где Dн волн - наружный диаметр волновода, см; d1д- диаметр отверстия диафрагмы, D2 вн, D2 нар - соответственно внутренний и наружный диаметры второго соленоида, см. Держатель 7 расположен на расстоянии от второго соленоида 10 не менее одного характерного линейного размера подложки. Устройство может быть дополнительно снабжено третьим соленоидом 12 и второй диафрагмой 13. Третий соленоид 12 расположен от первой диафрагмы в направлении держателя подложки на расстоянии L = D3 вн + d1д, D3 вн - внутренний диаметр третьего соленоида, см., d1д- диаметр отверстия первой диаграммы. Вторая диафрагма расположена между первой диафрагмой 11 и третьим соленоидом 13 на расстоянии от третьего соленоида, не превышающем его внутренний диаметр. 2 с. и 4 з.п. ф-лы, 1 табл., 7 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента