|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ АЛМАЗНЫХ ПЛЕНОК ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ В ПЛАЗМЕ СВЧ - РАЗРЯДА И ПЛАЗМЕННЫЙ РЕАКТОР ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ |  |
Номер публикации патента: 2215061 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C23C016/27 C23C016/503 H05H001/30 | | Аналоги изобретения: | US 55118759, 21.05.1996. ЕР 0520832 В1, 30.12.1992. RU 2099283 С1, 20.12.1997. RU 2105379 C1, 20.02.1998. RU 2171554 С1, 27.07.2001. |
| Имя заявителя: | Институт прикладной физики РАН | | Изобретатели: | Вихарев А.Л.
Горбачёв А.М.
Литвак А.Г.
Быков Ю.В.
Денисов Г.Г.
Иванов О.А.
Колданов В.А. | | Патентообладатели: | Институт прикладной физики РАН |
Реферат | |
Изобретение может быть использовано при получении поликристаллических алмазных пленок (пластин) для изготовления выходных окон мощных источников СВЧ-излучения. В реакционной камере активизируют газовую смесь водорода и углеводорода путем повышения концентрации электронов в плазме СВЧ-разряда. Образовавшиеся атомы углеродсодержащих радикалов осаждают на подложку, обеспечивая формирование поликристаллической алмазной пленки в результате поверхностных реакций.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента