|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ИНДУКЦИОННЫЙ ПЛАЗМОТРОН |  |
Номер публикации патента: 2142679 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H05H001/46 H05H001/30 | | Аналоги изобретения: | Туманов Ю.Н. Низкотемпературная плазма и высокочастотные электромагнитные поля в процессах получения материалов для ядерной энергетики. - М.: Энергоатомиздат, 1989, с.112. SU 166411 A, 1965. WO 91/16804 A1, 1991. DE 3826432 A1, 1989. GB 2273390 A, 1994. |
| Имя заявителя: | Сибирский химический комбинат | | Изобретатели: | Шамин В.И.
Буденков Е.А.
Маленко В.И. | | Патентообладатели: | Сибирский химический комбинат |
Реферат | |
Изобретение относится к плазменной технике, а именно, к конструкции плазмотронов, применяемых в химической и металлургической промышленности в качестве источника плазмы. Зазоры между водоохлаждаемыми трубками высокочастотного плазмотрона перекрыты вставками из диэлектрического термостойкого материала. Индуктор охватывает металлическую камеру, образованную трубками, и диэлектрическую оболочку, отделяющую металлическую камеру от индуктора. Диэлектрическая оболочка образована, по крайней мере, тремя слоями, первый из которых, обращенный к металлической камере, выполнен из эпоксидного компаунда с термостойким диэлектрическим гидрофильным наполнителем. Второй слой выполнен из кремнийорганического компаунда, а третий слой - из термостойкого диэлектрического гидрофильного тканевого материала. Толщина каждого слоя диэлектрической оболочки выбирается равной 1,0-1,5 мм. Применение многослойной оболочки из гидрофильных материалов позволило исключить электрические пробои, увеличить стабильность ресурс работы плазмотрона до нескольких сотен часов, исключить применение дорогостоящих материалов. 1 з.п.ф-лы., 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента