|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СЕЧЕНИЙ РАССЕЯНИЯ АТОМОВ И МОЛЕКУЛ |  |
Номер публикации патента: 2108599 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01T001/34 H05H003/00 | | Аналоги изобретения: | Чеплин С., Каулинг Т. Математическая теория неоднородных газов.-М.: ИЛ, 1960, с.274. Леонас В.Б. Исследование короткодействующих молекулярных сил.-УФН, т. 107, 1972, вып.1, с.29-56. |
| Имя заявителя: | Институт технической механики Национальной академии наук Украины (UA) | | Изобретатели: | Басс Валентин Петрович[UA]
Бразинский Вадим Иванович[UA]
Пилипенко Александр Петрович[UA]
Солодовник Леонид Леонидович[UA] | | Патентообладатели: | Институт технической механики Национальной академии наук Украины (UA) |
Реферат | |
Использование: в области молекулярной газовой динамики для определения интегральных сечений рассеяния атомов и молекул. Сущность изобретения: молекулярный пучок пропускают через калиброванный встречный поток рассеивающего газа. Измеряют концентрации отдельных компонент молекулярного пучка, скорость молекулярного пучка и интенсивность возвратного потока рассеивающего газа. Значения интегральных сечений рассеяния определяют путем решения системы уравнений
где Nk@b - интенсивность возвратного потока рассеивающего газа; i = 1,2,3. . .М - номер компоненты молекулярного пучка; σi - интегральное сечение i-той компоненты молекулярного пучка; nk@i - концентрация i-той компоненты молекулярного пучка; n(r) - концентрация рассеивающего газа; τ - объем; dτ - элемент объема;  - скорость молекулярного пучка;  - скорость рассеивающего газа; dσ/dΩ - дифференциальное сечение рассеяния газовых частиц в телесный угол dΩ , опирающийся на элемент поверхности ds. Данный способ позволяет определить сечение рассеивания для каждой компоненты молекулярного пучка в отдельности. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента