|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ГЕНЕРАТОР АТОМАРНОГО ВОДОРОДА |  |
Номер публикации патента: 2088056 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H05H003/02 H01J037/317 H01J037/36 H01L021/302 | | Аналоги изобретения: | 1. Takeyoshi S., Mitsuo K. - Low - temperature cleaning of CaAs substrate by atomic hydrogen irradiation. - Jap. J. Appl. Phys. Pt.2, 1991. - 30, 3, p. L402-L404. 2. Pearton S.J., Haller E.E. - Palladium - and platium - related levels in silicon: Effect of hydrogen plasma - J.Appl. Phys 54. (6), 1983, p. 3613 - 3618. 3. Corbet J.W., Pearton S.J. M. Stavola. - Hydrogen in semicondustors. - Defect Contr. Semicon. Proc. Int. Conf. Sci. and Technol. Yokogama. 1989, Sept. 17 - 22. 4. Заявка N2 - 89313 Япония, кл. H 01 L 21/304, H 01 L 21/302, 1990. 5. Tanaka Y., Kunitsugu Y., Suemune i., Hond Y., Kan Y., Yammshi M. - Low - temperature CaAs epitaxial grouth using electron - cyclotron resonance / metallorganic - molecular - beam epitaxy. J. Appl. Phys. 64(5), 1988, p. 2778 - 2780. 6. Sherman A. - In situ removal of nativ oxide from silicon wafers. J. Vac. Sci. Technol. B8(4), 1990, p. 656 - 657 (прототип). 7. Nakashuma K., Ishi M., Tajima I., Yamamoto M. - Existence of treshold density in silicon suface cleaning using hydrogen electron - cyclotron reconance plasma. - Appl. Phys. Lett. 1991, 58, N 23, p. 2663 - 2665. |
| Имя заявителя: | Государственное научно-производственное предприятие "НИИПП" | | Изобретатели: | Кагадей В.А.
Проскуровский Д.И.
Троян О.Е. | | Патентообладатели: | Государственное научно-производственное предприятие "НИИПП" |
Реферат | |
Использование: в технологии микроэлектроники для генерации атомарного водорода на основе газового разряда постоянного тока. Сущность изобретения: увеличение эффективности получения атомарного водорода достигается путем объединения в одном устройстве различных механизмов диссоциации молекулярного водорода, а также увеличения концентрации электронов в плазме газового разряда. Ток разряда составляет 1 - 2 А, напряжение горения -50 - 100 В, давление водорода в разряде -больше 4·10-2 Торр. Генератор содержит устройство, создающее магнитное поле для горения пеннинговского газового разряда в разрядной камере. Для увеличения объема области генерации с плотной плазмой полый катод проникает в полость цилиндрического анода. В результате между внешней поверхностью полого катода и внутренней поверхностью анода дополнительно инициируется магнетронный разряд. 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента