|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ДИОД С МАГНИТНОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ |  |
Номер публикации патента: 1544088 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01J001/30 H05H005/00 | | Аналоги изобретения: | Беломытцев С.Я., Коровин С.Д., Месяц Г.Д. Эффект экранировки в сильноточных диодах. Письма ЖТФ, 1980, т.6, N 18, с.1089. Авторское свидетельство СССР N 995664, кл. H 01J 1/30, H 05H 5/00, 1980. |
| Имя заявителя: | Институт сильноточной электроники СО АН СССР | | Изобретатели: | Кошелев В.И.
Сухушин К.Н |
Реферат | |
Изобретение относится к электронной технике, в частности к сильноточной электронике. Цель изобретения - увеличение азимутальной однородности электронного пучка в коаксикальных диодах с магнитной изоляцией. Диод с магнитной изоляцией содержит коаксикально расположенные взрывоэмиссионный катод, анод и импульсный соленоид. Катод изготовлен из высокопроводящего материала, например из меди, или проводящего ферромагнитного материала с высокой индукцией насыщения. Толщина катода выбирается минимальной из условия механической устойчивости его формы в импульсном магнитном поле. Техническое преимущество решения состоит в улучшении физических характеристик пучка электронов, в частности уменьшения поперечной неоднородности плотности тока в азимутальном направлении. 1 з. п. ф-лы, 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента