|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИНЖЕКЦИОННОЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО |  |
Номер публикации патента: 2300855 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H05B033/00 | | Аналоги изобретения: | Гарман В.И. Физика полупроводниковых приборов. Томск: Изд-во НТЛ, 2000 Берг А., Дин Н., Светодиоды. - М: Мир, 1979. RU 2201015 С2, 20.03.2003. SU 773795 A1, 23.10.1980. RU 2152106 С1, 27.06.2000. RU 2244984 С1, 20.01.2005. RU 1517657 C, 30.10.1994. US 5793115, 11.08.1998. |
| Имя заявителя: | Новосибирский государственный технический университет (RU) | | Изобретатели: | Величко Александр Андреевич (RU)
Илюшин Владимир Александрович (RU)
Пейсахович Юрий Григорьевич (RU)
Штыгашев Александр Анатольевич (RU) | | Патентообладатели: | Новосибирский государственный технический университет (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области опто- и наноэлектроники и может быть использовано в качестве источников излучения в оптоэлектронике, оптике и в других областях промышленности. Инжекционное светоизлучающее устройство имеет слои, образующие p-n переходы, состоит из последовательности гетероэпитаксиальных слоев диэлектрика и нанокристаллического кремния, выращенных на кремниевой подложке, каждый слой кремния состоит из p- и n-типа областей с резкими границами раздела, на противоположных краях устрой
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента