На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ИНЖЕКТИРУЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИНЖЕКТИРУЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ

Номер публикации патента: 2115270

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  92006120		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: полупроводниковые электронные приборы. Сущность изобретения: инжектирующий элемент для полупроводниковых приборов, содержащий сформированную на подложке структуру с областями из полупроводниковых широкозонных материалов типа А₂В₆, способную инжектировать носители заряда при приложении напряжения, отличающийся тем, что области структуры представляют собой элементы кристаллической текстуры или эпитаксиальные слои и выполнены из изотипного одинакового полупроводникового материала толщиной от долей микрона до нескольких микрон, определяемой толщиной области объемного заряда, между областями расположен промежуточный слой толщиной 10 - 100 ангстрем, выбираемой из условия обеспечения туннельного прохождения электронов и дырок. В качестве полупроводникового материала может быть использован сульфид цинка. Способ получения инжектирующих элементов, включает формирование на подложке структуры из полупроводникового материала сульфида цинка. Структуру формируют в виде кристаллической текстуры путем осаждения из газообразной фазы при температуре 180 - 300^oC. Техническим результатом изобретения является обеспечение эффективной инжекции неосновных носителей заряда в монополярный полупроводчик. 2 с.п. ф-лы, 3 ил.

Вернуться к списку