JP 4146768 А, 20.05.1992. JP 11067443 А, 09.03.1999. US 4640280 А, 03.02.1987. US 4108147 А, 22.08.1978. Qui D., Klymyshyn D.M., Pramanic P. Ridged waveguid structures with improved fundamental mode cutoff wavelength and bandwidth characterististics // International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Design. 2002, Vol.l2, 2,p.190-197. Скворцов А.А. Приближенно-аналитический расчет передаточных характеристик шлейфовых разветвлений со связью волноводов по широкой стенке через прямоугольные волноводы с одним и двумя Т-ребрами. - Вестник Саратовского государственного технического университета, 2007, 2(24), выпуск 1.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ) (RU)
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к медицинской технике и предназначено для лечения злокачественных опухолей человека и животных, при помощи облучения электромагнитным полем сверхвысокой частоты. Устройство содержит цилиндрический волновод 1, короткозамкнутый на одном конце 2, при этом другой конец является излучающим, и снабжено коаксиально-волноводным элементом возбуждения 3. На излучающем конце цилиндрического волновода расположен фокусирующий элемент 4 в виде выпуклой диэлектрической линзы. Вдоль внутренней поверхности цилиндрического волновода 1 расположены по крайней мере два Т-ребра, параллельных по широкой грани и образующих вдоль оси симметрии контактного микроволнового аппликатора емкостной зазор. Коаксиально-волноводный элемент возбуждения 3 выполнен в виде внутреннего и внешнего проводников и введен в узкую грань одного из ребер перпендикулярно широкой стенке Т-ребра, при этом его внутренний проводник проходит через весь емкостной зазор. Использование заявленного изобретения позволит снизить подводимую мощности к опухоли и уменьшить размеры аппликатора при улучшенных электродинамических параметрах устройства. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента