|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ |  |
Номер публикации патента: 95105202 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | RU | | Рег. номер заявки: | 95105202 |
|
|
|
| Имя заявителя: | Таганрогский государственный радиотехнический университет | | Изобретатели: | Коноплев Б.Г.
Рындин Е.А |
Реферат | |
Изобретение относится к вычислительной технике и интегральной электронике, а более конкретно - к интегральным логическим элементам БИС. Для сокращения занимаемой площади, повышения быстродействия, помехоустойчивости и степени автоматизации проектирования в интегральный логический элемент, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с расположенными в ней сток-истоковыми областями транзисторов второго типа проводимости, полупроводниковую область второго типа проводимости, расположенную над слоем разделительного диэлектрика и содержащую сток-потоковые области транзисторов первого типа проводимости, слои тонкого диэлектрика, металлическую шину питания, соединенную с истоковыми областями транзисторов первого типа проводимости, металлическую шину нулевого потенциала, расположенную над истоковой областью транзистора второго типа проводимости и соединенную с ней, а также с полупроводниковой подложкой первого типа проводимости, введены поликремниевые затворы транзисторов первого и второго типов проводимости, расположенные параллельно шинам питания и нулевого потенциала и выполненные в виде буквы Г, две входные зоны, содержащие участки поликремниевых затворов и сток-истоковых областей транзисторов первого и второго типов проводимости, участки металлических шин питания и нулевого потенциала, две входные металлические шины, расположенные над областями элемента перпендикулярно шинам питания и нулевого потенциала и соединенные с поликремниевыми затворами транзисторов первого и второго типов проводимости, выходная зона, содержащая участки поликремниевых затворов и сток-истоковых областей транзисторов первого и второго типов проводимости, участки металлических шин питания и нулевого потенциала, выходную металлическую шину, расположенную над областями элемента перпендикулярно шинам питания и нулевого потенциала и соединенную со стоковыми областями транзисторов первого типа проводимости и стоковой областью транзистора второго типа проводимости, зона транзита, содержащая транзитную металлическую шину, причем входные, выходная и транзитная зоны имеют одинаковые размеры.
|
Поиск патентов