|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| НИЗКОВОЛЬТНЫЙ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ БИПОЛЯРНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ СТРУКТУРАХ |  |
Номер публикации патента: 2173915 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L027/00 H01L027/14 H03K019/013 | | Аналоги изобретения: | WIEDMANN S., WENDEL D., SPEED ENCHANEMENT AND KEY DESIAN ASPECTS OF CHARGE BUFFERED LOGIC // DIGEST TECH. PAPERS 1986 SYMP.VLSI TECHNOLOGY, 1986, pp.43 - 44, Fig.1,7. SU 1827144 A3, 27.06.1996. JP 61160967 A, 21.07.1986. US 5010382 A, 23.04.1991. US 4146905 A, 27.03.1979. US 4007474 A, 08.02.1977. |
| Имя заявителя: | Бубенников Александр Николаевич | | Изобретатели: | Бубенников А.Н. | | Патентообладатели: | Бубенников Александр Николаевич |
Реферат | |
Изобретение относится к устройствам и интегральным конструкциям импульсной и цифровой техники, в частности к интегральным логическим элементам БИС, ЭВМ и автоматики. Создан логический элемент НЕ, ИЛИ-НЕ на комплементарных структурах, обеспечивающий низковольтное напряжение питания и логический перепад в субполувольтовом диапазоне вплоть до 0,12-0,2 В, высокое технологическое и системное быстродействие, уменьшение рабочей площади малокомпонентного ЛЭ для плотноупакованных планарных и трехмерных УБИС. Низковольтный элемент содержит параллельно соединенные комплементарные пары n-p-n- и р-n-р-транзисторов, эмиттеры которых соединены, базы и коллекторы объединены и являются соответственно входами и выходом элемента. При этом база каждого симметричного n-р-n- и р-n-р-транзистора выполнена из слаболегированного (или нелегированного с собственной концентрацией) полупроводника. Сущность изобретения заключается в возможности обеспечения сверхбыстродействия, работоспособности и надежности параллельно соединенных биполярных комплементарных двухтактных инверторов ( 1,2, . .n) в микромощном режиме сверхнизких напряжений питания и логического перепада вплоть до 0,12-0,15 В при использовании необходимых и достаточных для такого функционирования оригинальных масштабированных в область глубокосубмикронных горизонтальных и вертикальных размеров симметричных биполярных комплементарных структур. 2 с. и 3 з.п. ф-лы, 9 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента