|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ |  |
Номер публикации патента: 2115998 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H03K019/20 H01L027/06 | | Аналоги изобретения: | 1. Эйрис Р. Проектирование СБИС. Метод кремниевой компиляции. - М.: Главная редакция физико-математической литературы, 1988, с.40, рис.1.14. 2. Bern Hocfflinger, Sie I. Liu, and Branislav Vajdic, A Three - Dimentional CMOS Desigh Metodology, IEEE Transactions of Electron Devices, v. ED-31, N 2, 1984, fig. 2. 3. RU, патент, 2019893, кл. H 01 L 27/04, 1994. |
| Имя заявителя: | Таганрогский государственный радиотехнический университет | | Изобретатели: | Коноплев Б.Г.
Рындин Е.А. | | Патентообладатели: | Таганрогский государственный радиотехнический университет |
Реферат | |
Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, к интегральным логическим элементам БИС. Целью изобретения является сокращение занимаемой площади и повышение быстродействия. Элемент содержит полупроводниковую подложку первого типа проводимости, полупроводниковую область второго типа проводимости, слои тонкого диэлектрика, зону питания, зону нулевого потенциала, две входные зоны, транзистор второго типа проводимости, входную поликремниевую шину, выполненную в виде буквы S, выходную зону, выполненную в виде буквы S . Зона транзита содержит транзитную поликремниевую шину, выполненную в виде буквы S в зеркальном отображении. Входные, выходная и транзитная зоны имеют одинаковые размеры. Условные границы входных зон, транзитной зоны, зон питания и нулевого потенциала пересекают контактные окна. 1 ил., 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента