|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ИЛИ - НЕ И ЕГО ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СХЕМА |  |
Номер публикации патента: 2094911 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L027/04 H03K019/08 | | Аналоги изобретения: | 1. Мурога С. Системное проектирование сверхбольших интегральных схем. - М.: Мир, 1985, с. 107, 108, 143 и 152. |
| Имя заявителя: | Московский государственный институт электроники и математики (технический университет) | | Изобретатели: | Трубочкина Н.К.
Петросянц К.О. | | Патентообладатели: | Московский государственный институт электроники и математики (технический университет) |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, в конструкциях логических сверхбольших интегральных схем со сверхмалым потреблением мощности. Сущность изобретения: комплементарная схема ИЛИ-НЕ, функционально-интегрированная схема содержит подложку первого типа проводимости с концентрацией 1019-1020 см-3, в которой расположена общая коллекторная область второго типа проводимости переключательных n-p-n транзисторов, совмещенная с базой нагрузочного многоколлекторного p-n-p транзистора, в которой расположены базовые области первого типа проводимости переключательных n-p-n транзисторов с концентрацией 1017-1018см-3, совмещенные с коллекторами нагрузочного многоколлекторного p-n-p транзистора, разделенные глубокой изолирующей областью двуокиси кремния, содержащие высоколегированные эмиттерные области второго типа проводимости переключательных n-p-n транзисторов с концентрацией 2·1020 см-3. Конструкция комплементарной схемы ИЛИ-НЕ окружена высоколегированной областью первого типа проводимости с концентрацией 1020 см-3, к которой подключен электрод питания. Входные электроды подключены соответственно к базовым областям первого типа проводимости переключательных n-p-n транзисторов. Выходной электрод подключен к высоколегированной области второго типа проводимости, служащей для формирования омического контакта к общей коллекторной области второго типа проводимости переключательных n-p-n транзисторов. Электрод нулевого потенциала подключен к высоколегированным эмиттерным областям второго типа проводимости переключательных n-p-n транзисторов. Комплементарные схемы ИЛИ-НЕ - функционально-интегрированные схемы, совместимые с биполярной технологией, обеспечивающие меньшую потребляемую мощность и площадь, занимаемую на кристалле, а также более высокое быстродействие позволяет улучшить технические параметры микросхем. 2 с.п. ф-лы, 6 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента