RU 2263393 C1, 27.10.2005. RU 2152157 C1, 27.06.2000. FR 2556905 A1, 21.06.1985. DE 3932083 C1, 11.04.1991. US 5594378 A, 14.01.1997.
Имя заявителя:
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "Научно-производственное объединение прикладной механики им. академика М.Ф. Решетнева" (RU)
Изобретатели:
Михеев Павел Васильевич (RU) Прудков Виктор Викторович (RU)
Патентообладатели:
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "Научно-производственное объединение прикладной механики им. академика М.Ф. Решетнева" (RU)
Реферат
Изобретение относится к импульсной технике и может быть применено в различных бесконтактных коммутационных устройствах. Техническим результатом является повышение надежности при работе на емкостную нагрузку. В силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий трансформатор, транзисторы одинаковой проводимости, коллекторно-эмиттерные переходы которых зашунтированы диодами в запирающем направлении, а переходы база-эмиттер резисторами, коллектор одного из транзисторов подключен к затвору МДП-транзистора, эмиттеры транзисторов соединены непосредственно, а коллектор другого транзистора подключен к началу вторичной обмотки трансформатора, конец которой непосредственно подключен к истоку МДП-транзистора, дополнительная вторичная обмотка трансформатора подключена к базам транзисторов, начало дополнительной обмотки подключено к базе того транзистора, коллектор которого подключен к началу вторичной обмотки трансформатора. В устройство введены дополнительный резистор, диод и биполярный транзистор аналогичной проводимости МДП-транзистора, причем первый вывод дополнительного резистора подключен к истоку МДП-транзистора и к базе дополнительного транзистора, коллектор которого через дополнительный диод в проводящем направлении соединен с затвором МДП-транзистора, второй вывод дополнительного резистора соединен с эмиттером дополнительного транзистора и выходом ключа. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента