Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ РЕЛЕ

Номер публикации патента: 2163417

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 99118476/09 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H03K017/78   H03K017/00    
Аналоги изобретения: US 4268843 A, 19.05.1981. SU 1251315 A1, 15.08.1986. SU 439857 A, 25.03.1975. SU 467472 A, 27.11.1975. SU 518001 A, 02.08.1976. DE 3502180 A, 01.08.1985. EP 0226395 A, 04.12.1986. 

Имя заявителя: ЗАО "СИНТЭК" 
Изобретатели: Барановский Д.М. 
Патентообладатели: ЗАО "СИНТЭК" 

Реферат


Изобретение может быть использовано в коммутационных устройствах с гальванической развязкой. Технический результат заключается в улучшении динамических характеристик в оптоэлектронном реле, содержащем светодиод и оптически связанную с ним матрицу последовательно включенных фотодиодов, коммутирующее устройство и устройство разряда, в которое дополнительно введено оптически связанное со светодиодом устройство ускорения разряда, выполненное на n-МОП и p-МОП транзисторах, первом и втором фотодиодах и конденсаторе, сток n-МОП транзистора, затвор p-МОП транзистора и анод первого фотодиода которого подключены к первому входу коммутирующего устройства, исток n-МОП транзистора, отрицательная обкладка конденсатора и анод второго фотодиода подключены к второму входу коммутирующего устройства. Катод первого фотодиода соединен с положительной обкладкой конденсатора и истоком p-МОП транзистора, сток которого соединен с затвором n-МОП транзистора и катодом второго фотодиода. 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"