|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПАМЯТЬ |  |
Номер публикации патента: 2156506 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G11C007/00 H03K017/693 | | Аналоги изобретения: | US 3969706 А, 13.07.1976. SU 1751811 А1, 30.07.1992. US 4750839 А, 14.06.1988. US 4833650 А, 23.05.1989. US 4849937 А, 18.07.1989. US 4987325 А, 22.01.1991. |
| Имя заявителя: | САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД. (KR) | | Изобретатели: | Чуроо ПАРК (KR)
Хун-Соон ЯНГ (KR)
Чулл-Соо КИМ (KR)
Мунг-Хо КИМ (KR)
Сеунг-Хун ЛИ (KR)
Си-Йол ЛИ (KR)
Хо-Чеол ЛИ (KR)
Тае-Джин КИМ (KR)
Юн-Хо ЧОИ (KR) | | Патентообладатели: | САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО.
ЛТД. (KR) |
Реферат | |
Изобретение относится к синхронной динамической памяти с произвольным доступом. Память позволяет обращаться к данным в матрице ячеек памяти синхронно с системным синхроимпульсом от внешней системы, например, такой как центральный процессор. Синхронная память содержит матрицу памяти, разделенную на два банка памяти.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента