На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ СИЛОВЫМ ТРАНЗИСТОРНЫМ КЛЮЧОМ | |
Номер публикации патента: 2133553 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H03K017/10 H02M001/08 | Аналоги изобретения: | Электронная техника в автоматике. / Под ред.Ю.И.Конева. - М.: Сов.радио, 1977, вып.9, с.25, рис.6Б. SU 860231 A1, 30.08.81. US 4593214 A, 03.06.86. |
Имя заявителя: | Северо-Кавказский государственный технологический университет | Изобретатели: | Бидеев Г.А. Тайсаев И.Б. | Патентообладатели: | Северо-Кавказский государственный технологический университет |
Реферат | |
Изобретение относится к области преобразовательной техники и может быть использовано в системах управления транзисторными ключами преобразователей электрической энергии. Известное устройство для управления силовым транзисторным ключом, включающее первый транзисторный ключ (К), база которого соединена со входным резистором (Р) и одновременно с анодом диода (Д), силовой транзисторный К, клеммы для подключения источника напряжения смещения дополнительно снабжено вторым транзисторным К, тремя Р утечек, нагрузочным Р. Силовой транзисторный К выполнен в виде параллельного включения группы мощных транзисторов (Т) и двух групп уравнивающих Р. Все базы мощных Т подключены к соответствующей клемме, коллекторы соединены с клеммой для подключения внешней нагрузки, а эмиттеры соединены с общей шиной через первую группу уравнивающих Р и эмиттером первого транзисторного К через вторую группу уравнивающих Р. Эмиттер первого транзисторного К через нагрузочный Р соединен с общей шиной и одновременно через первый Р утечек с базой, а коллектор соединен с базой второго транзисторного К. Эмиттер второго транзисторного К соединен с клеммой для подключения положительного вывода источника напряжения смещения и одновременно через второй Р утечек с базой, причем коллектор соединен с клеммой для подключения базовых выводов силового транзисторного К, и через третий Р утечек с общей шиной, а отрицательный вывод источника напряжения смещения и катод Д соединены с клеммой для подключения внешней нагрузки. Технический результат: увеличение выходной мощности при сохранении качества выходного напряжения. 1 ил.
|