Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ СИЛОВЫМ ТРАНЗИСТОРНЫМ КЛЮЧОМ

Номер публикации патента: 2133553

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 97122255 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H03K017/10   H02M001/08    
Аналоги изобретения: Электронная техника в автоматике. / Под ред.Ю.И.Конева. - М.: Сов.радио, 1977, вып.9, с.25, рис.6Б. SU 860231 A1, 30.08.81. US 4593214 A, 03.06.86. 

Имя заявителя: Северо-Кавказский государственный технологический университет 
Изобретатели: Бидеев Г.А.
Тайсаев И.Б. 
Патентообладатели: Северо-Кавказский государственный технологический университет 

Реферат


Изобретение относится к области преобразовательной техники и может быть использовано в системах управления транзисторными ключами преобразователей электрической энергии. Известное устройство для управления силовым транзисторным ключом, включающее первый транзисторный ключ (К), база которого соединена со входным резистором (Р) и одновременно с анодом диода (Д), силовой транзисторный К, клеммы для подключения источника напряжения смещения дополнительно снабжено вторым транзисторным К, тремя Р утечек, нагрузочным Р. Силовой транзисторный К выполнен в виде параллельного включения группы мощных транзисторов (Т) и двух групп уравнивающих Р. Все базы мощных Т подключены к соответствующей клемме, коллекторы соединены с клеммой для подключения внешней нагрузки, а эмиттеры соединены с общей шиной через первую группу уравнивающих Р и эмиттером первого транзисторного К через вторую группу уравнивающих Р. Эмиттер первого транзисторного К через нагрузочный Р соединен с общей шиной и одновременно через первый Р утечек с базой, а коллектор соединен с базой второго транзисторного К. Эмиттер второго транзисторного К соединен с клеммой для подключения положительного вывода источника напряжения смещения и одновременно через второй Р утечек с базой, причем коллектор соединен с клеммой для подключения базовых выводов силового транзисторного К, и через третий Р утечек с общей шиной, а отрицательный вывод источника напряжения смещения и катод Д соединены с клеммой для подключения внешней нагрузки. Технический результат: увеличение выходной мощности при сохранении качества выходного напряжения. 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"