Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


УСТРОЙСТВО УПРАВЛЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫМ ТРАНЗИСТОРОМ, В ЧАСТНОСТИ МОП - ТРАНЗИСТОРОМ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО РАДИОЧАСТОТНОГО ГЕНЕРАТОРА ДЛЯ УПРАВЛЯЕМОГО ЗАЖИГАНИЯ ДВИГАТЕЛЯ ВНУТРЕННЕГО СГОРАНИЯ

Номер публикации патента: 2377720

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008104426/09 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H03K003/57    
Аналоги изобретения: US 5789951 A, 04.08.1998. US 2002/093372 A2, 18.07.2002. SU 473289 A1, 05.06.1975. 

Имя заявителя: РЕНО С.А.С. (FR) 
Изобретатели: АНЬЕРАЙ Андре (FR)
НУВЕЛЬ Клеман (FR) 
Патентообладатели: РЕНО С.А.С. (FR) 
Приоритетные данные: 06.07.2005 FR 0507211 

Реферат


Изобретение относится к управлению высоковольтными транзисторами. Технический результат - уменьшение стоимости. Устройство управления содержит входной контакт (IN) для приема логического сигнала управления, выходной контакт (OUT) для передачи выходного сигнала управления высоковольтным МОП-транзистором, первый nМОП-транзистор (Q6) управления с низким внутренним сопротивлением, который соединен между массой и указанным выходным контактом и затвор которого соединен с указанным входным контактом, второй рМОП-транзистор (Q5) управления, который соединен между контактом питания и выходным контактом и затвор которого соединен с указанным выходным контактом при помощи биполярного транзистора (Q2), выполненного по принципу монтажа с общей базой и с подачей тока на его эмиттер, управляемой емкостной схемой соединения (С2, Q1, R2). 3 н. и 6 з.п. ф-лы, 3 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"