|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ФОРМИРУЮЩАЯ ЛИНИЯ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ИМПУЛЬСОВ НАНО - И МИКРОСЕКУНДНОГО ДИАПАЗОНА ПО ФОРМЕ БЛИЗКИХ К ПРЯМОУГОЛЬНОЙ |  |
Номер публикации патента: 2092971 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H03K003/86 | | Аналоги изобретения: | 1. Накопление и коммутация энергии больших плотностей. /Под. ред. Э.И. Асиновского. - М.: Мир, 1979, с.25-29. 2. SU, авторское свидетельство, 1541758, кл. H 03 K 3/53, 1990. |
| Имя заявителя: | Санкт-Петербургский государственный технический университет | | Изобретатели: | Вехорева Л.Т.
Кучинский Г.С.
Шилин О.В. | | Патентообладатели: | Санкт-Петербургский государственный технический университет |
Реферат | |
Изобретение относится к высоковольтной импульсной технике. Цель изобретения - улучшение формы импульса, приближение его по форме к прямоугольному. Для достижения этой цели формирующая линия выполняется в виде двух плоских шин, между которыми размещаются пакеты емкостных элементов, выполненных в виде последовательно соединенных спирально намотанных секций конденсаторов. Соединение секций в пакете осуществляется путем закладывания максимально широких выводов на середину обкладок или применением нескольких пар выводом в каждой секции. Длина обкладок конденсаторов определяется из условия
 ,
где
τи - длительность импульса, с;
n - количество пакетов секций;
μ0 - абсолютная магнитная постоянная, Гн/м;
ε - диэлектрическая проницаемость диэлектрика секции, Ф/м. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента