На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

МИКРОМОЩНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ С ВЫСОКОЙ НАГРУЗОЧНОЙ СПОСОБНОСТЬЮ

Номер публикации патента: 2172064

Вид документа:  C2  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  99123318/09		Получить полное описание патента

Реферат

Данное изобретение относится к устройствам импульсной и цифровой техники, в частности к интегральным логическим элементам БИС, ЭВМ. Техническим результатом является создание микромощных малокомпонентных логических элементов И, ИЛИ, формирователя-повторителя, обеспечивающих низковольтный логический перепад в субполувольтовом диапазоне вплоть до 0.2 В при высочайшей нагрузочной способности по обоим фронтам, высокие функциональные возможности, малокомпонентность для УБИС. Указанный результат достигается тем, что микромощный логический элемент с высокой нагрузочной способностью содержит входные транзисторы первого типа проводимости, коллекторы которых соединены с первой шиной питания, базы - с соответствующими входами, а эмиттер - с базой согласующего транзистора второго типа проводимости и коллектором транзистора первого типа проводимости первого генератора тока, эмиттер согласующего транзистора соединен со вторым транзисторным генератором тока, коллектор согласующего транзистора соединен с базой транзистора первого типа проводимости первого генератора тока и базой и коллектором транзистора первого типа проводимости в диодном включении, эмиттер которого соединен с эмиттером транзистора первого генератора тока и второй шиной питания, эмиттер согласующего транзистора соединен с выходом элемента и эмиттером транзистора первого типа проводимости второго генератора тока, коллектор которого соединен с базой и коллектором транзистора второго типа проводимости в диодном включении и базой первого дополнительного транзистора второго типа проводимости, эмиттер которого соединен с эмиттером транзистора второго типа проводимости в диодном включении и с первой шиной, а коллектор - с базой транзистора первого типа проводимости и эмиттером второго дополнительного транзистора второго типа проводимости, коллектор которого соединен со второй шиной питания, а база соединена с эмиттером третьего дополнительного транзистора второго типа проводимости и с коллектором четвертого дополнительного транзистора второго типа проводимости, эмиттер которого соединен с первой шиной питания, а база - с третьей шиной питания, причем база третьего дополнительного транзистора соединена с базой согласующего транзистора, а коллектор соединен со второй шиной питания. 2 с. и 3 з.п.ф-лы, 7 ил.

Вернуться к списку