Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ГЕНЕРАТОР МОЩНЫХ НАНОСЕКУНДНЫХ ИМПУЛЬСОВ

Номер публикации патента: 1804271

Вид документа: A1 
Страна публикации: SU 
Рег. номер заявки: 4930490 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H03K003/53    
Аналоги изобретения: 1. Кардо-Сысоев А.Ф., Чашников И.Г. Полупроводниковый генератор высоковольтных импульсов с емкостной нагрузкой. - ПТЭ 1986, N 1, с.107-109. 2. Тучкевич В.М., Грехов И.В. Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами. Л.: Наука, 1988, с.104-107. 3. Зи С.Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984, т.1, с.52-54, 109, т.2, с.156. 4. Авторское свидетельство СССР N 1487774, 1986. 

Имя заявителя: Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе 
Изобретатели: Грехов И.В.
Ефанов В.М.
Кардо-Сысоев А. 

Реферат


Изобретение относится к области мощной импульсной техники и может быть использовано в системах питания мощных лазеров, в видеоимпульсной радиолокации и т.д. Оно решает задачу увеличения быстродействия генератора мощных наносекундных импульсов за счет уменьшения времени нарастания и спада напряжения на нагрузке. Генератор мощных наносекундных импульсов, содержит дрейфовый диод с резким восстановлением обратного сопротивления (9), нагрузку (8) и две цепи, каждая из которых содержит последовательно соединенные ключ (2.5), конденсатор (4,5) и индуктивный накопитель энергии (6.7), дополнительный диод (1), причем площадь р-n-перехода дрейфового диода с резким восстановлением обратного сопротивления (S1), толщина его базы (w) и соотношение индуктивностей индуктивных накопителей энергии (L1 и L2) удовлетворяют следующим выражениям:
S1≥ S2N2/N1; L1L2/L1+L2≥ E3ε2/3q3N3@1V3@s-S1; w≅ E-ε/q-N1.
где N1 - концентрация легирующей примеси в базе дрейфового диода с резким восстановлением; S2, N2 - площадь р-n-перехода и концентрация примеси в базе дополнительного диода; ε, E, Vs -диэлектрическая проницаемость, пороговая напряженность поля, при которой начинается ударная ионизация, и насыщенная скорость носителей тока в материале, из которого выполнен дрейфовый диод с резким восстановлением, соответственно; q - заряд электрона. 1 з. п. ф-лы. 2 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"