RU 2337472 С1, 27.10.2008. SU 1203687 А, 07.01.1986. US 4975604 А, 04.12.1990. JP 3-238910 А, 24.10.1991.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики" (RU)
Изобретатели:
Савиных Валерий Леонидович (RU) Воробьева Светлана Владимировна (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики" (RU)
Реферат
Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в различных радиотехнических устройствах с электронной регулировкой коэффициента передачи и в устройствах автоматического регулирования. Технический результат: увеличение динамического диапазона работы аттенюатора без захода в область прямых токов затвора выходной характеристики полевого транзистора, сохранение температурной стабильности регулировочной характеристики аттенюатора. Электронный аттенюатор выполняют на полевых транзисторах с p-n-переходом и каналом одного типа проводимости, на затворы которых подают противоположные по знаку напряжения. В устройство введен источник смещения, соединенный через резистор с инверсным входом операционного усилителя, затвор первого транзистора соединен с делителем напряжения, состоящего из терморезистора и резистора обратной связи, затвор второго с выходом операционного усилителя с обратными связями, который является инвертором. Предложенное решение позволяет использовать транзисторы с любым напряжением отсечки, так как напряжение смещения составляет примерно половину напряжения отсечки, уровень входного сигнала может быть такой же величины. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента