Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 
Главная       Патентный отдел       Технологии       Справочник ГРНТИ       Прием       Наши координаты       Обратная связь      

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


РЕЗОНАТОР МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ

Номер публикации патента: 2450427

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010131806/08 
   Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 6 
Основные коды МПК: H03H009/64    
Аналоги изобретения: RU 2357356 C1, 27.05.2009. US 5903198 A, 11.05.1999. US 3882433, 06.05.1975. US 3846722 A, 05.11.1974. 

Имя заявителя: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого (RU) 
Изобретатели: Бичурин Мирза Имамович (RU)
Аверкин Сергей Владимирович (RU)
Семенов Геннадий Алексеевич (RU) 
Патентообладатели: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области электроники и может использоваться для построения генераторов. Достигаемый технический результат - улучшение добротности резонатора, возможность управления добротностью при помощи магнитного поля. Резонатор магнитоэлектрический состоит из композитного магнитоэлектрического материала, представляющего собой слоистую структуру из пьезоэлектрического слоя, ферромагнитного слоя и подмагничивающей системы, при этом на пьезоэлектрический слой со стороны ферромагнитного слоя нанесена топология встречно-штыревого преобразователя (ВШП). 2 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь 		Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"