Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РЕЗОНАТОР

Номер публикации патента: 2107987

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 94011955 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H03H009/15    
Аналоги изобретения: Смагин А.Г., Ярославский М.Н., Пьезоэлектричество кварца и кварцевые резонаторы.-М.: Энергия, 1970, с.463-478. 

Имя заявителя: Омский научно-исследовательский институт приборостроения 
Изобретатели: Кибирев С.Н.
Ярош А.Н.
Колесников В.Н. 
Патентообладатели: Омский научно-исследовательский институт приборостроения 

Реферат


Изобретение относится к изделиям пьезотехники и может быть использовано при создании электроакустических устройств. Задача изобретения - уменьшение габаритов пьезоэлемента и резонатора в целом за счет конструктивного изменения кристаллического элемента, при котором обеспечивается более глубокая локализация акустической энергии в его центральной части. Одновременно уменьшается трудоемкость изготовления резонаторов при сохранении их моночастотности и высокой добротности. Это достигается тем, что в пьезоэлектрическом резонаторе, содержащем держатель, кристаллический элемент в виде круглой пластины с локальным выступом в центральной части и возбуждающие электроды, симметричные локальному выступу, выступ в центре пластины выполняют в форме шарового сегмента на одной или обеих сторонах. Шаровой сегмент может быть смоделирован в виде ступенчатой структуры с числом ступеней равным или больше трех. При этом диаметр основания шарового выступа dc задают в пределах 1/3·D ≅ dc ≅ 2/3·D , где D - диаметр КЭ, а радиус сферы сегмента R выбран в соответствии с выражением

где h - толщина плоского кристаллического элемента, соответствующая заданной частоте, 2 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"