RU 2117382 A1, 10.08.1998. RU 2169986 C1, 10.05.1998. SU 1679940 A1, 10.10.1996. EP 1544998 A2, 22.06.2005. JP 61281611 A, 12.12.1986.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" - Госкорпорация "Росатом" (RU), Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" - ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ" (RU)
Изобретатели:
Нетесин Николай Николаевич (RU) Короткова Галина Петровна (RU) Корзенев Геннадий Николаевич (RU) Поволоцкий Сергей Николаевич (RU) Карпова Маргарита Валерьевна (RU) Аксенова Ольга Владимировна (RU) Королев Олег Валентинович (RU) Аладышева Наталья Николаевна (RU) Шильников Антон Александрович (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" - Госкорпорация "Росатом" (RU) Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" - ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ" (RU)
Реферат
Использование: область микроэлектроники, способы изготовления кристаллических элементов (КЭ) пьезоэлектрических приборов. Повышение точности формирования объемной микроструктуры и качества поверхности кварцевого элемента является техническим результатом изобретения. Способ изготовления КЭ Z-среза включает механическую и химическую очистку кварцевой пластины, нанесение защитных металлизированных слоев на кварцевую пластину, групповое формирование топологии защитных металлизированных слоев методом фотолитографии, формирование объемной микроструктуры заданного рельефа травлением, удаление защитных слоев травлением и получение электродной системы, при этом в предложенном способе кварцевую пластину подвергают ультразвуковому воздействию и последовательной обработке в растворах щелочных, кислотных реагентов с промывкой в дистиллированной воде и сушке в парах спирта, после чего на нее наносят двухсторонний тонкопленочный слой Cr-Au, фотолитографией формируют топологию защитной маски, наносят второй защитный слой из меди, проводят химико-динамическое и плазмохимическое травление, удаляют защитные металлизированные слои, повторно наносят тонкопленочное покрытие Cr-Au на кварцевую пластину и методом фотолитографии формируют топологию электродной системы и контактных площадок с последующим разделением кварцевой пластины на отдельные элементы. 2 з.п. ф-лы, 3 пр., 7 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента