RU 2190922 C2, 10.10.2002. RU 1783947 C, 09.01.1995. RU 1750406 C, 15.06.1994. EP 1221770 A1, 10.07.2002. US 4364016 A1, 14.12.1982.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "ЭЛПА" с опытным производством" (ОАО "НИИ "ЭЛПА") (RU)
Изобретатели:
Голубский Александр Алексеевич (RU) Трусов Анатолий Аркадьевич (RU) Галанов Геннадий Николаевич (RU) Нерсесов Сергей Суренович (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "ЭЛПА" с опытным производством" (ОАО "НИИ "ЭЛПА") (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления интегральных пьезоэлектрических устройств (фильтры, резонаторы, линии задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ)), которые находят широкое применение в авионике и бортовых системах, телекоммуникации. Технический результат заключается в увеличении выхода годных за счет уменьшения разброса частот в партии резонаторов, в увеличении стабильности резонаторов на ПАВ, в увеличении производительности процесса за счет поштучной обработки нескольких одновременно вакуумируемых резонаторов методом реактивного ионно-лучевого травления (РИЛТ) в газовом разряде предельного фторуглерода. В качестве предельного фторуглерода используется или тетрафторметан (CF4), или октафторпропан (C3F8), или октафторциклобутан (С4А8), или октафторциклобутан (G10 F18). 1 табл.