|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОДСТРОЙКИ ЦЕНТРАЛЬНОЙ ЧАСТОТЫ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ |  |
Номер публикации патента: 1762726 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H03H003/08 | | Аналоги изобретения: | Патент США N 4364016, кл. H 03 H 3/08, 1982 Патент США N 4278492, кл. B 44 C 1/22, 1981. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт "Пульсар" | | Изобретатели: | Кондратьев Ю.П.
Тимошев В.В.
Федорец В.Н.
Федосов В |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах. Целью изобретения является повышение процента выхода годных резонаторов. Обработку рабочей поверхности кристалла резонаторов пучком ионов аргона ведут при энергии 4 - 5 кэВ в течение 2 - 15 мин, а плазмохимическое травление проводят в течение 1 - 8 мин. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента