NAKASH R., DUAL J., BLUNIER S., HÄGELI M., MARTI U. A Novel 3-D MEMS Gyroskope, Int. Conf. & Exhibition on Micro Electro, Opto, Mechanical Systems and Components Micro Systems Technologies 2003, Munchen, Oct. 7-8, 2003, pp.342-349. RU 93042525 A, 20.02.1996. RU 2154894 C2, 20.08.2000. RU 2002341 C1, 30.01.1993. RU 2276453 C1, 10.05.2006. US 6767757 B2, 27.07.2004.
Имя заявителя:
Федеральное государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники" (RU)
Изобретатели:
Годовицын Игорь Валерьевич (RU) Амеличев Владимир Викторович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники" (RU)
Реферат
Изобретение относится к измерительной технике, а именно к интегральным высокодобротным кремниевым микромеханическим резонаторам, использующим в качестве резонирующего элемента балочные и консольные структуры из монокристаллического кремния, размещенные в капсулах с высоким вакуумом, и, в частности, применяемым в качестве чувствительных элементов прецизионных преобразователей давления, микромеханических датчиков угловой скорости (гироскопов) и микромеханических датчиков ускорения. Технический результат - снижение паразитной емкости контактов резонатора, увеличение чувствительности резонатора за счет снижения паразитного сигнала и повышение технологичности. Достигается тем, что способ изготовления интегрального высокодобротного кремниевого микромеханического резонатора включает в себя формирование в монокристаллической кремниевой подложке со стороны, противоположной рабочему слою, КНИ-пластины глухих отверстий, достигающих рабочего слоя КНИ-пластины, формирование в рабочем слое КНИ-пластины структуры резонатора, соединенной с участками в виде сплошных областей монокристаллического кремния, перекрывающих глухие отверстия в монокристаллической кремниевой подложке, удаление жертвенного слоя из-под структуры резонатора, соединение в высоком вакууме КНИ-пластины с диэлектрической пластиной, имеющей углубление, располагающееся над структурой резонатора, формирование металлических контактных площадок на открытой стороне участков монокристаллического кремния, перекрывающих глухие отверстия в монокристаллической кремниевой подложке, и разделение КНИ-пластины и диэлектрической пластины на кристаллы. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента