|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ |  |
Номер публикации патента: 1783948 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H03H003/08 | | Аналоги изобретения: | Авторское свидетельство СССР N 1313317, кл. H 03 H 9/25, 1985. Mlcrowave Journal. 1982. v. 25. N 2. p. 53 - 57, 60 - 62. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт "Пульсар" | | Изобретатели: | Кислякова О.В.
Кондратьев Ю.П.
Тимашев В.В.
Федорец В.Н.
Федосов |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах. Целью изобретения является повышение выхода годных резонаторов. Для этого в способе изготовления кристаллов резонаторов на поверхностных акустических волнах после напыления металла наносят второй слой фоторезистора, в котором вскрывают окна над структурами электродов встречно-штырьевых преобразователей (ВШП). В этом окне вытравливают металл, затем проводят ионно-химическое дотравливание канавок под электроды ВШП требуемой глубины, напыляют второй слой металла толщиной, равной глубине канавок под электроды преобразователя, после чего проводят взрывное удаление обоих слоев фоторезиста. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента