RU 2240645 C1, 20.11.2004. RU 2328818 C1, 10.07.2008. RU 2395897 C1, 27.07.2010. EP 1223669 A2, 17.07.2002. US 2005/0140452 A1, 30.06.2005.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) (RU)
Изобретатели:
Титов Александр Анатольевич (RU) Семёнов Анатолий Васильевич (RU) Токбаева Индира Жакуповна (RU) Шанин Александр Васильевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) (RU)
Реферат
Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к радиолокации, и может быть использовано в системах возбуждения СВЧ-генераторов на лавинно-пролетных диодах и диодах Ганна. Техническим результатом является возможность получения импульсов с амплитудой, во много раз превышающей предельно допустимые напряжения база-эмиттер современных биполярных транзисторов. Ограничитель амплитуды однополярных импульсов содержит: вход и выход, биполярный транзистор, эмиттер которого соединен с выходом ограничителя, а коллектор - с общим для всего устройства проводником, первый резистор, первый вывод которого соединен с эмиттером биполярного транзистора, а второй вывод - со входом ограничителя, второй резистор, первый вывод которого соединен с эмиттером биполярного транзистора, а второй вывод - с общим для всего устройства проводником, третий резистор, первый вывод которого соединен с источником питания, стабилитрон, катод которого соединен со вторым выводом третьего резистора, а анод - с общим для всего устройства проводником, и конденсатор, первый вывод которого соединен со вторым выводом третьего резистора, а второй вывод - с общим для всего устройства проводником, введен полупроводниковый диод, анод которого соединен с базой биполярного транзистора, а катод - со вторым выводом третьего резистора. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента