|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПАРАМЕТРИЧЕСКИЙ УСИЛИТЕЛЬ |  |
Номер публикации патента: 2032266 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H03F007/00 | | Аналоги изобретения: | Эткин В.С. и др. Параметрические системы на полупроводниковых диодах. М.: Советское радио, 1964, с.217. |
| Имя заявителя: | Специальное конструкторско-технологическое бюро с опытным производством Института радиофизики и электроники АН Украины (UA) | | Изобретатели: | Губарь Александр Михайлович[UA]
Касьяненко Анатолий Павлович[UA] | | Патентообладатели: | Специальное конструкторско-технологическое бюро с опытным производством Института радиофизики и электроники АН Украины (UA) |
Реферат | |
Использование: в радиотехнике в качестве полупроводникового параметрического усилителя СВЧ. Сущность изобретения: параметрическом усилителе, содержащем соосно соединенные тракты сигнала и субгармонической накачки в виде отрезков прямоугольного волновода, контур холостой частоты и диод, отрезки прямоугольного волновода соединены ортогонально и между ними установлена введенная плоскопараллельная структура из первой, второй и третьей металлических пластин, изолированных одна от другой первой, второй, третьей и четвертой изолирующими пластинами. Контур первой холостой частоты образован встречно-включенными диодом и дополнительно введенным диодом, установленными по диагонали совмещенных крестообразных вырезов, выполненных в плоскопараллельной структуре. Кроме того, могут быть введены контуры накачки и второй холостой частоты в виде прямоугольных отверстий, выполненных в введенных первой и второй вставках, каждая из которых установлена между торцом одного из отрезков прямоугольного волновода и плоскопараллельной структурой. Толщины вставок и размеры прямоугольных отверстий выбираются из приведенных соотношений. 1 з.п. ф-лы, 12 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента