JIANG X. et al. A Ka-Band Power Amplifiers. IEEE-MTT, v. 51, N 1,. 2003, pp.144-147. RU 86354 U1, 27.08.2009. US 7057453 В1, 06.06.2006. JP 54-143049 A, 07.11.1979.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU)
Изобретатели:
Балыко Александр Карпович (RU) Мякиньков Виталий Юрьевич (RU) Вахламова Марина Юрьевна (RU) Зуева Ольга Сергеевна (RU) Гуларян Анаит Кимовна (RU) Савельева Людмила Геннадьевна (RU) Фетисова Наталья Александровна (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU)
Реферат
Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Технический результат: повышение надежности работы, выходной мощности, снижение коэффициентов отражения на входе и выходе усилителя мощности. Усилитель содержит два прямоугольных волновода, один - для входа, другой - для выхода, которые гальванически соединены по одной из узких стенок и закорочены на одном из концов волновода, в одной из широких стенок каждого волновода симметрично относительно плоскости гальванического соединения и параллельно узким стенкам волновода расположены, по меньшей мере, две резонансные щели, при этом центральные линии резонансных щелей расположены на расстоянии, равном половине длины волны в волноводе, расстояние от закороченных концов волновода до ближайшей щели равно четверти длины волны, на поверхности одной из широких стенок каждого волновода со стороны щелей расположены интегральные схемы, на одних из которых расположены отрезки микрополосковых линий, на других - усилители на полевом транзисторе с барьером Шотки, которые соединены с отрезками микрополосковых линий проводниками. Упомянутые интегральные схемы и их соединения выполнены в виде монолитной интегральной схемы на полупроводниковой подложке, при этом усилители на полевом транзисторе с барьером Шотки выполнены многокаскадными, а закорочены противоположные концы волноводов. 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента