US 4415868 А, 15.11.1983. US 5148119 А, 15.09.1992. US 4789799 A, 16.12.1988. US 3562660 А, 09.02.1971. ПОЛОННИКОВ Д.Е. Операционные усилители: Принципы построения, теория, схемотехника. - М.: Энергоатомиздат, 1983, с.208, рис.6.11.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Изобретатели:
Прокопенко Николай Николаевич (RU) Глушанин Сергей Валентинович (RU) Серебряков Александр Игоревич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Реферат
Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, в компараторах и решающих усилителях с малыми значениями э.д.с. смещения нуля). Технический результат: уменьшение абсолютного значения Uсм и его температурного дрейфа. Дифференциальный операционный усилитель содержит входной дифференциальный каскад (ДК) (1) с первым (2) и вторым (3) токовыми выходами, первый выходной транзистор (4), коллектор и база которого соединены с базой второго (5) выходного транзистора, третий выходной транзистор (6), база которого соединена с коллектором второго (5) выходного транзистора и первым (2) токовым выходом ДК (1), первый токостабилизирующий двухполюсник ТД (7), буферный усилитель (8), вход которого соединен с коллектором третьего (6) выходного транзистора и вторым ТД (9), причем эмиттеры первого (4), второго (5), третьего (6) выходных транзисторов связаны с шиной (10) источника питания. В схему введен первый (11) и второй (12) дополнительные транзисторы, эмиттеры которых связаны с первым ТД (7), а базы являются первым (13) и вторым (14) дополнительными входами устройства, причем коллектор первого (11) дополнительного транзистора соединен с базой второго (5) выходного транзистора. 1 з.п. ф-лы, 8 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента