US 2007/0008038 A1, 11.07.2007. RU 35491 U1, 10.01.2004. SU 1001439 A, 28.02.1983. GB 1431481 A, 07.04.1976.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Изобретатели:
Прокопенко Николай Николаевич (RU) Будяков Петр Сергеевич (RU) Серебряков Александр Игоревич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Реферат
Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, широкополосных, избирательных, ВЧ- и СВЧ-усилителях). Технический результат: повышение коэффициента усиления по напряжению ШУ. Это позволяет в ряде случаев исключить дополнительные каскады усиления, уменьшить общее энергопотребление в сравнении с многокаскадными усилителями. Широкополосный усилитель содержит входной транзисторный каскад (1), основной вход (2) которого соединен с источником сигнала (3), общий вывод (4) подключен к первой (5) шине источников питания, а коллекторный выход (6) соединен с выходом (7) устройства и первым выводом двухполюсника коллекторной нагрузки (8), второй вывод которого связан со второй (9) шиной источников питания. В схему введен первый (10) дополнительный транзистор, коллектор которого соединен с коллекторным выходом (6) входного транзисторного каскада, база соединена с выходом первой (11) цепи смещения потенциалов, эмиттер через первый (12) токостабилизирующий двухполюсник связан со второй (13) цепью смещения потенциалов, второй вывод двухполюсника коллекторной нагрузки (8) связан со второй (9) шиной источника питания через второй (14) токостабилизирующий двухполюсник и через первый (15) вспомогательный двухполюсник с малым динамическим сопротивлением соединен с эмиттером первого (10) дополнительного транзистора. 6 з.п. ф-лы, 12 ил.