US 3541464 А, 17.11.1970. RU 2365028 C1, 20.08.2009. SU 593301 A, 15.02.1978. US 6825723 B2, 30.11.2004.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Изобретатели:
Прокопенко Николай Николаевич (RU) Серебряков Александр Игоревич (RU) Будяков Петр Сергеевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Реферат
Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, широкополосных усилителях ВЧ и СВЧ диапазонов). Технический результат: повышение предельных значений коэффициента усиления по напряжению ДУ для переменных ВЧ и СВЧ сигналов при низковольтном питании. Дифференциальный усилитель содержит первый (1) и второй (2) входные транзисторы, в эмиттеры которых включены первый (3) и второй (4) p-n переходы, токостабилизирующий двухполюсник (5), включенный между общим узлом первого (3) и второго (4) p-n переходов и первой (6) шиной источников питания, первый (7) резистор коллекторной нагрузки, первый вывод которого соединен с коллектором первого (1) входного транзистора и первым выходом устройства, второй (8) резистор коллекторной нагрузки, первый вывод которого соединен с коллектором второго (2) входного транзистора и вторым выходом устройства, вторую (9) шину источников питания. В схему введены первый (10), второй (11), третий (12) и четвертый (13) дополнительные транзисторы, база первого (10) дополнительного транзистора соединена с базой первого (1) входного транзистора, коллектор первого (10) дополнительного транзистора подключен к коллектору первого (1) входного транзистора, база второго (11) дополнительного транзистора соединена с базой второго (2) входного транзистора, коллектор второго (11) дополнительного транзистора подключен к коллектору второго (2) входного транзистора, эмиттер первого (10) дополнительного транзистора подключен к коллектору третьего (12) дополнительного транзистора, база третьего (12) дополнительного транзистора подключена к эмиттеру первого (1) входного транзистора, эмиттер третьего (12) дополнительного транзистора соединен с токостабилизирующим двухполюсником (5), эмиттер второго (11) дополнительного транзистора подключен к коллектору четвертого (13) дополнительного транзистора, база четвертого (13) дополнительного транзистора соединена с эмиттером второго (2) входного транзистора, эмиттер четвертого (13) дополнительного транзистора соединен с токостабилизирующим двухполюсником (5), второй вывод первого (7) резистора коллекторной нагрузки соединен со второй (9) шиной источников питания через первый (14) дополнительный резистор и через первый (15) дополнительный конденсатор подключен к эмиттеру первого (10) дополнительного транзистора, второй вывод второго (8) резистора коллекторной нагрузки соединен со второй (9) шиной источников питания через второй (16) дополнительный резистор и через второй (17) дополнительный конденсатор подключен к эмиттеру второго (11) дополнительного транзистора. 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента