SU 1827552 A1 G01J 5/00, 15.07.1993. RU 2094757 C1 G01J 1/16, 27.10.1997. RU 2160479 C2 H01J 31/52, 10.12.2000. US 2009026195 A1 H05B 6/76, 29.01.2009. US 2010243646 A1 H05B 6/76, 30.09.2010. US 2009094832 A1 H05B 6/76, 16.04.2009.
Имя заявителя:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет" (Новосибирский национальный исследовательский государственный университет, НГУ) (RU)
Изобретатели:
Кузнецов Сергей Александрович (RU) Федоринин Виктор Николаевич (RU) Гельфанд Александр Витальевич (RU) Паулиш Андрей Георгиевич (RU) Лазорский Павел Александрович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет" (Новосибирский национальный исследовательский государственный университет, НГУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к технике измерений, в частности к измерению интенсивности электромагнитного излучения с пространственным и поляризационным разрешением. Технический результат заключается в возможности проведения в реальном времени измерений интенсивности электромагнитного излучения в терагерцовой области с пространственным разрешением, а также с поляризационным разрешением. Предложен преобразователь терагерцового излучения в инфракрасное излучение (которое может быть зарегистрировано с помощью имеющихся на сегодняшний день инфракрасных матричных приемников), обладающий высокой чувствительностью к терагерцовому излучению, высоким пространственным разрешением, чувствительностью к поляризации излучения, малым временем отклика. Преобразователь выполнен в виде ультратонкой (не менее чем в 50 раз меньше длины волны терагерцового излучения) многослойной структуры на основе диэлектрического слоя. Со стороны падения терагерцового излучения на поверхности диэлектрического слоя выполнен металлизированный топологический рисунок, образующий частотно-избирательную поверхность (ЧИП). С обратной стороны диэлектрического слоя нанесен сплошной слой с металлической проводимостью, поверх которого нанесен тонкий слой материала, обладающего высокой излучательной способностью в инфракрасном диапазоне (коэффициент серости, близкий к единице). Вариантом является преобразователь, в котором с обратной стороны диэлектрического слоя резонансного поглотителя терагерцового излучения поверх слоя с металлической проводимостью вместо излучающего слоя наносится второй диэлектрический слой, на котором формируется металлизированный топологический рисунок, образующий вторую частотно-избирательную поверхность. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента