|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МИКРОПОЛОСКОВЫЙ СТАБИЛИЗИРОВАННЫЙ РЕЗОНАНСНО - ТУННЕЛЬНЫЙ ГЕНЕРАТОР ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВОЛН ДЛЯ МИЛЛИМЕТРОВОГО И СУБМИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА ДЛИН ВОЛН |  |
Номер публикации патента: 2337467 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H03B007/14 | | Аналоги изобретения: | ПАРФЕНОВ О.Д. Технология микросхем. - М.: Высшая школа, 1986. ВАМБЕРСКИЙ М.В. и др. Передающие устройства СВЧ. - М.: Высшая школа, 1984. SU 1337987 А1, 15.09.1987. ЕР 1388901 А1, 11.02.2004. US 4480233 А, 30.10.1984. US 4185252 А, 22.01.1980. |
| Имя заявителя: | САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД (KR),ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. П.Н. ЛЕБЕДЕВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (RU) | | Изобретатели: | Казаков Игорь Петрович (RU)
Карузский Александр Львович (RU)
Митягин Юрий Алексеевич (RU)
Мурзин Владимир Николаевич (RU)
Цховребов Андрей Михайлович (RU) | | Патентообладатели: | САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО.
ЛТД (KR)
ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. П.Н. ЛЕБЕДЕВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области твердотельной сверхвысокочастотной электроники и микроэлектроники. Техническим результатом является расширение рабочего частотного диапазона в сторону терагерцовых волн. Это обеспечивается тем, что микрополосковый стабилизированный резонансно-туннельный генератор электромагнитных волн миллиметрового и субмиллиметрового диапазона длин волн содержит полупроводниковый резонансно-туннельный диод и микрополосковый резонатор, которые выполнены в монолитно-интегрированном
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента